特許
J-GLOBAL ID：200903087951989707

高耐圧半導体装置及びプラズマディスプレイパネル

発明者：
遠藤 幸一

遠藤 幸一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265044
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093097
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 高い耐圧の設定や多数の高耐圧半導体素子を集積化した場合でも、チップ面積の増大を抑えることができる誘電体分離型半導体装置を提供する。【解決手段】 電極16(K)が電気的に接続された活性層12の第1導電型拡散領域13は、活性層の他方の電極7(A)が電気的に接続された第2導電型拡散領域14と対向する第1の部分と、トレンチ20に形成された素子分離領域と対向する第2の部分とからなり、この素子分離領域に囲まれた素子領域は、前記第1の部分と前記電極16が電気的に接続された第2導電型拡散領域14との間の第1の領域(A1)と、前記第2の部分と素子分離領域20との間の第2の領域(A2)とから構成されている。そして、トレンチを挟んで対向するトレンチ内の素子領域の電極16と接続する第2導電型拡散領域の電位とトレンチ外の外部領域(B)の電位とを同じか、もしくは同程度にする。
請求項（抜粋）：
半導体からなる台基板上に底面絶縁膜を介して積層された第1導電型半導体単結晶の活性層と、前記活性層の表面から前記底面絶縁膜に達するトレンチ溝で囲まれた素子分離領域と、前記素子分離領域に囲まれた素子領域と、前記素子領域に形成された第1導電型の不純物拡散領域と、前記素子領域に形成された第2導電型の不純物拡散領域と、前記第1導電型の不純物拡散領域上に形成された第1の電極と、前記第2導電型の不純物拡散領域上に形成された第2の電極とを備え、前記素子領域は、前記第1導電型の不純物拡散領域が前記第2導電型の不純物拡散領域と対向している第1の領域と、この第1の領域以外の領域にあって前記第1導電型の不純物拡散領域が前記素子分離領域と対向している第2の領域とを有し、その耐圧は、前記第1の領域が前記第1導電型の不純物拡散領域と前記第2導電型の不純物拡散領域との間の距離に依存し、前記第2の領域が前記第1導電型の不純物拡散領域と前記素子分離領域との間の距離、もしくはこの距離と前記素子分離領域の厚さとに依存するように構成されていることを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L 29/78 621 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/91 D
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-317336
  • 小型モータ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319896   出願人：マブチモーター株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-285094   出願人：日本電装株式会社

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