特許
J-GLOBAL ID：200903087958586217

貫通導電体を有する半導体装置およびその製造方法

発明者：
上林 和利

上林 和利 について


出願人/特許権者：
株式会社ザイキューブ

株式会社ザイキューブ について


代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-173587
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016406
出願日： 2007年06月30日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】 より簡単な方法(プロセス)で且つより低い製造コストで製造できる、貫通導電体を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 SiO2膜(第1絶縁膜)23は、シリコン基板11の貫通孔14の内側面とシリコン基板11の裏面を覆うと共に、表面電極15の裏面に達する透孔31を貫通孔14の内部に持つ。配線膜24は、SiO2膜23上に所定パターンで形成されると共に、貫通孔14の内部で透孔31を介して表面電極15の裏面に接触せしめられている。外部電極25は、配線膜24上に形成されていて、貫通孔14の内部で配線膜24の内側に残存する空隙を充填する充填部25aを持ち、配線膜24の貫通孔14の内部にある部分と充填部25aとが、貫通導電体として機能する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を貫通する貫通導電体を有する半導体装置であって、 表面側に所定の素子または回路が形成されると共に、表面側から裏面側まで貫通した貫通孔を有する半導体基板と、 前記半導体基板の表面側において前記貫通孔と重なり合う位置に形成された、前記素子または回路に電気的に接続された表面電極と、 前記貫通孔の内側面および前記半導体基板の裏面を覆うと共に、前記表面電極の裏面に達する透孔を前記貫通孔の内部に有している第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に所定パターンで形成されると共に、前記貫通孔の内部において前記透孔を介して前記表面電極の裏面に接触せしめられた配線膜と、 前記配線膜上に形成された外部電極とを備え 前記外部電極は、前記貫通孔の内部において前記配線膜の内側に残存する空隙を充填する充填部を有しており、 前記配線膜の前記貫通孔の内部にある部分と前記充填部とが、前記貫通導電体として機能することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H01L21/88 J ,  H01L27/14 D
Fターム (51件)：
4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA32 ,  4M118CB14 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA29 ,  4M118HA33 ,  5F033HH00 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033XX08 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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