特許

J-GLOBAL ID：200903087966813370

炭化珪素焼結体及びその製造法

発明者： 下田 修一郎 ,  岩井 明仁
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224737
公開番号（公開出願番号）：特開2002-037668
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 極めて平滑な表面を有し、安価でかつ半導体ウェーハ、液晶基板等の搬送や保持部材、露光装置におけるステージ位置測定用ミラー、精密光学機器用ミラー等に適した炭化珪素焼結体及び極めて平滑な表面を有し、安価でかつ半導体ウェーハ、液晶基板等の搬送や保持部材、露光装置におけるステージ位置測定用ミラー、精密光学機器用ミラー等に適した炭化珪素焼結体を効率よく製造することが可能な炭化珪素焼結体の製造法を提供する。【解決手段】 表面に存在するくぼみの深さが0.5μm以下である炭化珪素焼結体、硼素又はその化合物及び炭素粉又は焼成過程で炭素を生成する物質と炭化珪素粉末を含む混合物を成形した後、常圧焼成して常圧焼結体を作製し、次いで常圧焼結体を熱間静水圧処理した後、得られた熱間静水圧処理体の表面をブリネル硬さHBS(10/500)が50以下の定盤を用いて研磨することを特徴とする吸水率が0.1%以下で、表面に存在するくぼみの深さが0.5μm以下の炭化珪素焼結体の製造法並びに硼素又はその化合物及び炭素粉又は焼成過程で炭素を生成する物質と炭化珪素粉末を含む混合物をホットプレス焼結した後、得られたホットプレス焼結体の表面をブリネル硬さHBS(10/500)が50以下の定盤を用いて研磨することを特徴とする吸水率が0.1%以下で、表面に存在するくぼみの深さが0.5μm以下の炭化珪素焼結体の製造法。

請求項（抜粋）：

表面に存在するくぼみの深さが0.5μm以下である炭化珪素焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/565 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/68 A ,  C04B 35/56 101 E ,  H01L 21/30 503 Z

Fターム (22件)：

4G001BA22 ,  4G001BA41 ,  4G001BA60 ,  4G001BA68 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BB41 ,  4G001BB60 ,  4G001BB68 ,  4G001BC42 ,  4G001BC43 ,  4G001BC56 ,  4G001BE35 ,  4G001BE39 ,  5F031CA02 ,  5F031GA32 ,  5F031HA02 ,  5F031PA26 ,  5F046AA28 ,  5F046CB02 ,  5F046CC08 ,  5F046CD01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-329680   出願人：太平洋セメント株式会社
• 緻密な焼結体、その製造方法およびハードディスク記憶装置製造用の該焼結体からなる基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-209089   出願人：エレクトロシュメルツベルク・ケンプテン・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング