特許

J-GLOBAL ID：200903087969171957

積層型光電変換装置及びその製造方法

発明者： 奈須野 善之 ,  石河 泰明 ,  中野 孝紀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012742
公開番号（公開出願番号）：特開2008-181960
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】良好な光電変換効率を有するとともに量産及び基板の大面積化に適した実用的な積層型光電変換装置を提供する。【解決手段】本発明の積層型光電変換装置は、それぞれがpin接合を有し且つシリコン系半導体からなる第1光電変換層、第2光電変換層及び第3光電変換層をこの順に重ねて備え、第1及び第2光電変換層は、それぞれ、非晶質のシリコン系半導体からなるi型非晶質層を有し、第3光電変換層は、微結晶のシリコン系半導体からなるi型微結晶層を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれがpin接合を有し且つシリコン系半導体からなる第1光電変換層、第2光電変換層及び第3光電変換層を光入射側から、この順に重ねて備え、 第1及び第2光電変換層は、それぞれ、非晶質のシリコン系半導体からなるi型非晶質層を有し、第3光電変換層は、微結晶のシリコン系半導体からなるi型微結晶層を有する積層型光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 W

Fターム (20件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 積層型光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-044731   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (5件)

• 光起電力装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100573   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平2-122575
  
• シリコン光起電力素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-312570   出願人：三菱重工業株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-201539   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-248037