特許

J-GLOBAL ID：200903066943588992

シリコン光起電力素子及びその製造方法

発明者： 森田 章二 ,  米倉 義道 ,  山下 信樹 ,  中野 要治 ,  呉屋 真之 ,  小川 真
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  田中 重光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312570
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146735
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】結晶質p層の光学的禁制帯幅を拡大するとともに、開放電圧を向上させて光電変換特性に優れたシリコン光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン光起電力素子10が、結晶質p型半導体層3、実質的に真性な結晶質光電変換層4、結晶質n型半導体層5が順に接する結晶シリコン層を有し、開放電圧が0.50V以上であるシリコン光起電力素子10であって、結晶質p型半導体層3は、珪素、ホウ素、炭素を含み、光学的禁制帯幅が1.8eV以上である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶質p型半導体層、実質的に真性な結晶質光電変換層、結晶質n型半導体層が順に接する結晶シリコン層を有し、開放電圧が0.50V以上であるシリコン光起電力素子であって、 前記結晶質p型半導体層は、珪素、ホウ素、炭素を含み、光学的禁制帯幅が1.8eV以上であることを特徴とするシリコン光起電力素子。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 A ,  H01L31/04 B

Fターム (10件)：

5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA37 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-054541   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 薄膜光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196532   出願人：富士電機株式会社
• アモルファスシリコン光電池装置とその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-503814   出願人：ユニフェルシテイト・ファン・ユトレヒト