半導体発光素子およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218551
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083928
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】低コストで、かつ、光の取出し効率のよい半導体発光素子およびその製法を提供する。【構成】基板1上に少なくともn型層4およびp型層6を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体発光素子であって、前記基板が酸化ケイ素基板からなっている。

請求項（抜粋）：