特許
J-GLOBAL ID：200903087972156284
プラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064264
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273071
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 MIS型半導体装置の微細なゲート電極をBr系等のエッチングガスによりプラズマエッチングする場合において、下地ゲート絶縁膜のダメージを防止するとともに、エッチング終了後の希フッ酸洗浄におけるゲート絶縁膜の増速エッチングを防止する。【構成】 基板ステージ上面から被エッチング基板裏面に供給する熱伝導ガスとして、Xeを用いる。またオーバーエッチングへの切り替えのタイミングを下地ゲート絶縁膜が露出する前に設定する。【効果】 Xeのプラズマ発光の主スペクトルラインは、従来のHeのそれより長波長側にあり、フォトンエネルギが小さい。このためVUV光照射によるダメージが低減される。またゲート絶縁膜露出前に低イオンエネルギの条件に切り替えるので、ゲート絶縁膜のイオンダメージを防止できる。
請求項（抜粋）：
基板ステージ上面より被エッチング基板裏面に向け熱伝導ガスを供給しつつ、下地絶縁膜上のSi系材料層をパターニングするプラズマエッチング方法において、該熱伝導ガスがエッチングチャンバ内に拡散して生成するプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギが、Heのプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギより小さな熱伝導ガスを供給しつつパターニングすることを特徴とする、プラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3065
H01L 21/302 Z
, H01L 21/302 A
, H01L 21/302 E
