特許
J-GLOBAL ID：200903087981664101

微細レジストパターンの形成方法

発明者：
渡辺 学

渡辺 学 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348260
公開番号（公開出願番号）：特開2005-114973
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【目的】 電子線露光または光露光によるライン形成単層レジストプロセスにおいて、アルカリ現像後のレジストパターンに微弱なシリル化処理及びC-F系エッチング処理を施すことで、パターンのラインエッジラフネスを低減させる。【構成】 下地膜11上にレジスト12を塗布し、電子線または光により露光を行い、によりパターン12aを形成した後、レジストパターン12aに弱いシリル化処理を施すことで、パターンの側壁部であるラインエッジラフネス部を重点的にシリル化した後、C-F系ガスによるエッチングを施すことで、シリル化層をエッチング除去し、パターンのラインエッジラフネス部を取り除き、良好なプロファイルを得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを紫外線もしくは電子線を用いて露光する工程と、前記工程で露光したレジストをアルカリ現像しパターンを形成する工程と、前記パターンを形成したレジストをシリル化処理する工程と、前記シリル化処理されたレジストをエッチング処理する工程を少なくとも備えたことを特徴とする微細レジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 541P
Fターム (11件)：
2H096AA25 ,  2H096HA24 ,  2H096HA30 ,  5F046AA17 ,  5F046JA22 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19 ,  5F056DA07 ,  5F056DA17 ,  5F056DA30
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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