特許
J-GLOBAL ID：200903088032649173
強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333827
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099252
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】半導体装置に用いられる低いペロブスカイト相転移温度を有する強誘電体チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法、および、その製造方法を用いて製造される高速かつ信頼性の高いメモリスイッチング特性を有する半導体装置を提供する。【構成】基板にチタン酸ジルコン酸鉛膜を形成する工程の前に、チタン酸鉛からなるシード層を形成する工程を包含する。チタン酸鉛シード層は、チタン酸ジルコン酸鉛のペロブスカイト相転移温度を低下させるので、優れた強誘電体特性を有するチタン酸ジルコン酸鉛膜が低いアニール温度で形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に強誘電体ペロブスカイト型のチタン酸ジルコン酸鉛膜を製造する方法であって、該基板上にシード層を形成するために該基板にチタン酸鉛膜を形成する工程と、該シード層の上にチタンジルコン酸鉛膜を形成する工程と、を包含する、製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8242
, H01L 21/314
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 27/108
H01L 27/10 325 J
, H01L 27/04 C
