特許
J-GLOBAL ID：200903088038249770
ダミーウェハおよびダミーウェハを使った熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230904
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057323
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体基板の熱処理工程で使用されるダミーウェハに関し、直径が300mm以上とされる場合でも十分な機械的強度を確保することを目的とする。【解決手段】 半導体ウェハの熱処理装置において用いられるウェハボートに半導体ウェハと共に搭載されるダミーウェハ12を石英等の材質で形成する。ダミーウェハ12の一方の面に補強部14を設ける。補強部14の端部に切り込み部16を設ける。ウェハボートには、ウェハボートの支持部と切り込み部16とが係合するようにダミーウェハ12を搭載する。
請求項（抜粋）：
【請求項1】【請求項2】 前記補強部は前記本体と同じ材質であり、前記本体と一体成形されたものであることを特徴とする請求項1記載のダミーウェハ。【請求項3】 前記補強部は前記本体の中央部から等角度毎に径方向へ延在する放射状部分を含むことを特徴とする請求項1または2記載のダミーウェハ。【請求項4】 前記補強部は、前記本体の周縁側の端部に切り込み部を備えると共に、前記切り込み部が設けられている部分の板厚は、前記本体の板厚と同じであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項記載のダミーウェハ。【請求項5】 ダミーウェハを使った半導体ウェハの熱処理方法であって、半導体ウェハの熱処理装置において用いられるウェハボートに、半導体ウェハと共にダミーウェハを搭載するステップと、半導体ウェハおよびダミーウェハを搭載したウェハボートを拡散炉に搬入するステップと、前記拡散炉の中で前記半導体ウェハを加熱するステップとを含み、前記ダミーウェハは少なくとも一方の面にその中央部から放射状に延在する補強部を備え、前記補強部の位置で支持されるように前記ウェハボートに搭載されることを特徴とする熱処理方法。【請求項6】 前記補強部は、前記ダミーウェハの周縁側の端部に切り込み部を備え、前記ダミーウェハは、前記ウェハボートの支持部が前記切り込み部と係合するように前記ウェハボートに搭載されることを特徴とする請求項5記載の熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/22 501
, H01L 21/22 511
, H01L 21/68
H01L 21/02 B
, H01L 21/22 501 F
, H01L 21/22 511 Q
, H01L 21/68 N
5F031CA11
, 5F031HA64
, 5F031MA30
