特許

J-GLOBAL ID：200903088042003808

半導体装置及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに液晶表示装置

発明者： 芳之内 淳 ,  村田 康明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323302
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181302
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗なソース/ドレイン部を有する薄膜トランジスタ、および低温プロセスで簡易な製造方法を提供する。【構成】 シリコンを含む半導体膜と、ゲート絶縁膜と、陽極酸化された酸化膜によって被覆されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、不純物ドーピングされたソース/ドレイン部表面にリンまたはボロン元素を2×1019〜2×1021個/cm3濃度含み、特に1×1019〜4×1021個/cm3濃度の水素元素を含むシリサイド層を設けるような構成または製造方法とする。

請求項（抜粋）：

リンまたはボロン元素を含み、かつ1×1019〜4×1021個/cm3濃度の水素元素を含むシリサイド層を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/46 D ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜状半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-297650   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-166512
  
• 特開昭59-110115