特許
J-GLOBAL ID：200903088094009693

3-5族化合物半導体の製造方法

発明者：
家近 泰

家近 泰 について

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高田 朋幸

高田 朋幸 について

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小野 善伸

小野 善伸 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189337
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036429
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】均一で歩留りの高い3-5族化合物半導体薄膜を製造できる3-5族化合物半導体の製造方法、特に発光素子として用いたときに発光状態が均一で歩留りの高い発光素子を得ることができる発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体の第1の層を気相成長し、次に一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の層を気相成長して3-5族化合物半導体を製造する方法において、第1の層を成長した後、第2の層の成長前に3族原料を供給しないで、キャリアガスを供給するかまたはキャリアガスと5族原料を供給する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
請求項（抜粋）：
一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体の第1の層を気相成長し、次に一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の層を気相成長して3-5族化合物半導体を製造する方法において、第1の層を成長した後、第2の層の成長前に3族原料を供給しないで、キャリアガスを供給するかまたはキャリアガスと5族原料を供給する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (7件)
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