特許
J-GLOBAL ID：200903088096003978

窒化物半導体レーザダイオード

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233549
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体レーザダイオードの放熱性を向上させ、しきい値の上昇の抑制、寿命特性の向上を達成させることである。【構成】 同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、放熱体に接触可能な形状で形成された窒化物半導体層を有してなる。
請求項（抜粋）：
同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、放熱体に接触可能な形状で形成された窒化物半導体層を有してなることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM