MIS型半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168191
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030108
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】MIS型半導体装置に於て、ポリサイドゲート電極中のN型不純物とP形不純物の相互拡散を抑え、安定したP型、N型多結晶シリコンをもつポリサイドゲート電極を構成できる技術を提供する。【構成】ポリサイドゲート電極、配線中に窒素を導入させたり、ポリシリコン層306とシリサイド層307間に窒素を含む金属化合物層322を設けることによって、引き続いて行われる熱処理によってもドーパント不純物の異常な拡散や増速拡散を防止する。【効果】不純物導入後の熱処理温度及び時間に余裕があり、不純物導入時に形成される結晶欠陥を十分回復できるため、素子の信頼性が向上する。また、導入した不純物のイオン化率を高め、ポリシリコン層とシリサイド層との接触抵抗が下がり、最大動作速度が向上する。またNchMOSトランジスタとPchMOSトランジスタ間をポリサイド構造のまま接続でき集積度が向上する。

請求項（抜粋）：

主に金属-絶縁膜-半導体基板が半導体素子の主要構成要素としてなっており、前記金属として構成される材料は、前記絶縁膜上から順にシリコンを主成分として含む第1のシリコン層とシリコンと高融点金属とを主成分として含む第1のシリサイド層とから構成されてなるMIS半導体素子に於て、前記半導体基板と絶縁膜層間、前記絶縁膜と第1シリコン層間、前記第1シリコン層と第1のシリサイド層間の少なくとも何れかには、窒素の最高濃度が1×1014個/cm3以上2×1022個/cm3未満含まれる領域が存在してなることを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開昭63-204743
特開平4-157766
特開昭62-048069

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