特許
J-GLOBAL ID：200903088110787880
ダイヤモンドn型ドープ層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317628
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158093
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】 ミクロなデバイス素子として応用できるダイヤモンドn型ドープ層の形成方法を提供する。特に、薄膜化が可能であり、さらに選択的にn型半導体領域を形成できる方法を提供する。【解決手段】 CVD法等によりダイヤモンド層を成長させ、その最終段階で窒素原子を含むガスを用いて表面近傍層に限ってドナーを注入し、次いで、ダイヤモンド層のダングリングボンドを水素原子で終端した後、選択的に水素原子を離脱させることを特徴とするダイヤモンドn型ドープ層の形成方法。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド層を形成後、その表面近傍層に限ってドナーを注入することを特徴とするダイヤモンドn型ドープ層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 V
, H01L 21/205
