半導体製造装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298107
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110771
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】高速昇温・降温処理を行う場合に、ウェーハ面内の過大な温度差を低減し、過大な温度差によって発生するウェーハ支持部のスリップを防止する。【解決手段】縦型反応炉と、その外側を囲繞するように設けられ反応炉内に挿入されたウェーハWを加熱するヒータと、上下方向に多数のウェーハを積層状態で搭載して反応炉内に出し入れされる縦型ボート30とを備え、ヒータを制御することにより所定の高速で反応炉内の基板を昇温及び降温させる半導体製造装置において、前記縦型ボート30に、ウェーハWを上下方向に所定の間隔で載置する複数のリングホルダ32を設け、リングホルダ32の上面内周部にウェーハWの厚み以上の段差を持つウェーハ載置用の凹部34を設け、リングホルダ32の外周縁から凹部34の外周縁までの距離Aをリングホルダ32の上下方向の間隔Hに基づいて設定した。

請求項（抜粋）：

下端開口より基板の搬入出が行われる縦型反応炉と、該縦型反応炉の外側を囲繞するように設けられ反応炉内に挿入された基板を加熱するヒータと、上下方向に多数の基板を積層状態で搭載して前記縦型反応炉内に出し入れされる縦型ボートとを備え、前記ヒータを制御することにより所定の高速で反応炉内の基板を昇温及び降温させる半導体製造装置において、前記縦型ボートに、基板を上下方向に所定の間隔で載置する複数のリングホルダを設け、該リングホルダの上面内周部に基板の厚み以上の段差を持つ基板載置部を設け、前記リングホルダの外周縁から前記基板載置部の外周縁までの距離をリングホルダの上下方向の間隔に基づいて設定したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 , C23C 16/46 , H01L 21/205 , H01L 21/22 511

FI (4件)：

H01L 21/68 N , C23C 16/46 , H01L 21/205 , H01L 21/22 511 G

Fターム (16件)：

4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030KA04 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA12 , 5F031HA64 , 5F031HA65 , 5F031MA28 , 5F045BB01 , 5F045DP19 , 5F045EK06 , 5F045EK30 , 5F045EM08

引用特許：

審査官引用 (1件)

熱処理方法及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292725 出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン相模株式会社

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