特許
J-GLOBAL ID：200903088164481930
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268990
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111689
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 タングステン層またはタングステンシリサイド層を含むエッチング対象層をエッチするエッチング方法に関し、タングステンまたはタングステンシリサイド層をほぼ垂直にエッチングできる異方性エッチングの方法を提供する。【解決手段】 タングステンまたはタングステンシリサイドのエッチング対象層の上に、広いスペース部と狭いスペース部とを含むエッチングマスクを形成する工程と、エッチング対象層を第1の種類のガスでエッチし、広いスペース部の下地表面を露出する第1エッチ工程と、第1の種類とは異なる組成を有する第2の種類のエッチングガスで残ったエッチング対象層をエッチングする第2エッチ工程とを含む。
請求項（抜粋）：
下地表面上に形成され、タングステンまたはタングステンシリサイドで形成されたエッチング対象層の上に、広いスペース部に挟まれた孤立パターンと狭いスペース部を介して配置された複数個の密集パターンとを含むエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを介して、前記エッチング対象層を第1の種類のガスでエッチし、前記広いスペース部の下地表面を露出する第1エッチ工程と、第1エッチ工程に続き、第1の種類とは異なる組成を有する第2の種類のエッチングガスで残ったエッチング対象層をエッチングする第2エッチ工程とを含むエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3213
H01L 21/302 J
, H01L 21/88 D
