特許

J-GLOBAL ID：200903088182534374

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物

発明者： 清水 宏明 ,  中村 剛 ,  平野 智之 ,  太宰 尚宏
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-128351
公開番号（公開出願番号）：特開2009-276607
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、前記基材成分(A)が式(a0-1)で表される構成単位(a01)と式(a0-3)で表される構成単位(a03)とを有する高分子化合物(A1)を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a01)と、下記一般式(a0-3)で表される構成単位(a03)とを有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 222/10

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F222/10

Fターム (26件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL02P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL14P ,  4J100AL24P ,  4J100BA03Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社