チップ転写方法および該装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-563524
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537158
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】本発明は、集積回路素子(3)をソース基板(1)からターゲット基板(2)上の所定の位置(12)に転写するための方法を提供する。【解決手段】集積回路素子(3)を該基板上に持つソース基板(1)および制御可能な接着強度を持つ接着剤層(8)を有する素子転写ホルダー(4)が準備される。前記素子転写ホルダー(4)が、前記集積回路素子(3)の上に降ろされ、当該接着強度は前記集積回路素子(3)を前記素子転写ホルダー(4)で支持するのに適した第1の値を有する。次に、前記集積回路素子(3)が前記ソース基板(1)から開放され、かつ前記集積回路素子(3)が接着された素子転写ホルダー(4)は、前記ソース基板(1)から取り外される。所定の位置(12)に配列された液滴(9)が前記ターゲット基板(2)に準備され、かつ前記素子転写ホルダー(4)が該ホルダーに接着された集積回路素子(3)とともにターゲット基板(2)の上に降ろされ、その結果、集積回路素子(3)が前記液滴(9)に接触する。次に、接着剤の当該接着強度は、集積回路素子(3)を前記素子転写ホルダー(4)から開放するのに適した第2の値に設定され、それにより前記液滴(9)が前記集積回路素子(3)を前記所定の位置(12)に配列させる。最後に、前記素子転写ホルダー(4)が前記集積回路素子(3)から取り外される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

a) 第1の段階において、接着強度が制御可能な接着剤から構成される接着層(8)を有する素子転写ホルダー(4)を、ソース基板(1)の上に位置する集積回路素子(3)の上に降ろし、ここで当該接着強度は集積回路素子(3)を素子転写ホルダー(4)で支持するのに適する第1の値を有し、 b)第2の段階において、前記素子転写ホルダー(4)は、接着された前記集積回路素子(3)とともに所定の位置(12)に液滴(9)を有するターゲット基板(2)に向けて移動し、 c)第3の段階において、前記集積回路素子(3)が接着した前記素子転写ホルダー(4)を、前記集積回路素子(3)が前記液滴(9)に接触するように前記ターゲット基板(2)の上に降ろし、 d)第4の段階において、前記接着層(8)の接着強度を、前記素子転写ホルダー(4)から前記集積回路素子(3)を開放するのに適した第2の値に設定し、以って前記液滴(9)が前記集積回路素子(3)を前記所定の位置(12)に配列させ、 e)第5の段階において、前記素子転写ホルダー(4)を取り外す、段階を含む、集積回路素子(3)をソース基板(1)からターゲット基板(2)上の所定の位置(12)に転写するための方法。

IPC (4件)：

H01L25/16 , G09F9/00 , G09F9/33 , H01S5/022

FI (4件)：

H01L25/16 A , G09F9/00 338 , G09F9/33 Z , H01S5/022

Fターム (23件)：

5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094BA23 , 5C094DA09 , 5C094DA12 , 5C094DB10 , 5C094EB05 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5F173MC24 , 5F173MC25 , 5F173MD03 , 5F173MD64 , 5F173MD76 , 5F173MD82 , 5F173ME64 , 5F173ME72 , 5G435AA17 , 5G435EE32 , 5G435EE41 , 5G435HH18 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭59-040543
薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-060593 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭59-040543

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