半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-211501
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027641
出願日： 2005年07月21日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】ゲート抵抗を十分に低抵抗化できると共に、高耐圧が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】p型半導体基板11上にはp型ボディ領域14が形成され、ボディ領域14の表面領域にはn+型ソース領域15が形成されている。半導体基板11上にはn+型ドレイン領域17が形成され、ソース領域15とドレイン領域17との間の半導体基板11の表面領域にはn-型ドリフト領域18が形成されている。ソース領域15とドリフト領域18との間のボディ領域14上及び半導体基板11上にはゲート絶縁膜19が形成され、ゲート絶縁膜19上にはゲート電極21が形成されている。ゲート電極21の上面全体、ソース領域15上及びドレイン領域17上にはシリサイド膜22が形成されている。さらに、ドリフト領域18上には保護絶縁膜20が形成され、ソース領域15側のゲート電極21の側面上にはゲート側壁絶縁膜23が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のボディ領域と、前記ボディ領域の表面領域に形成された第2導電型のソース領域と、前記半導体基板上に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板の表面領域に形成された第2導電型のドリフト領域と、前記ソース領域と前記ドリフト領域との間の前記ボディ領域上及び前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上面全体、前記ソース領域上、及び前記ドレイン領域上に形成されたシリサイド膜と、前記ドリフト領域上に形成された保護絶縁膜と、前記ソース領域側の前記ゲート電極の側面上に形成されたゲート側壁絶縁膜と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (6件)：

H01L29/78 301P , H01L21/28 301D , H01L21/28 301S , H01L29/78 301D , H01L29/50 M , H01L29/58 G

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F140AA01 , 5F140AA23 , 5F140AA25 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BC07 , 5F140BD18 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF44 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CE07 , 5F140CE20 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-126337 出願人：横河電機株式会社

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