特許
J-GLOBAL ID：200903088263302435
縦型不揮発性半導体メモリセルおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076153
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 縦型の不揮発性半導体メモリセルにおいて、データ保持特性もしくは保持時間(retention time)を向上させる。【解決手段】 基板20の表面に対し垂直にソース領域3からドレイン領域1まで縦方向にトレンチ5が形成されている。さらにこのトレンチの壁部に形成された第1の誘電層8と、この第1の誘電層8に形成された電荷蓄積層9と、この電荷蓄積層9の表面に形成された第2の誘電層10と、この第2の誘電層10の表面に形成されたコントロール層11,11′が設けられている。そして本発明によれば、トレンチ5の下方にトレンチ延長部5′が形成されており、これはそのトレンチ表面に形成された第3の誘電層6と、このトレンチ延長部5′を少なくとも部分的に充填するための充填材料7を有する。
請求項（抜粋）：
縦型不揮発性半導体メモリセルにおいて、ドレイン領域(1)、チャネル領域(2)およびソース領域(3)を有する基板(20)と、該基板(20)の表面に対し実質的に垂直に前記のソース領域(3)からドレイン領域(1)まで縦方向に形成されたトレンチ(5)と、実質的に該トレンチの壁部に形成された第1の誘電層(8)と、実質的に該第1の誘電層(8)に形成された電荷蓄積用の電荷蓄積層(9)と、少なくとも部分的に該電荷蓄積層(9)の表面に形成された第2の誘電層(10)と、実質的に該第2の誘電層(10)の表面に形成されたコントロール層(11,11′)が設けられていて、実質的に前記トレンチ(5)の下方にトレンチ延長部(5′)が形成されており、該トレンチ延長部(5′)は、そのトレンチ表面に形成された第3の誘電層(6)と、該トレンチ延長部(5′)を少なくとも部分的に充填するための充填材料(7)を有することを特徴とする、縦型不揮発性半導体メモリセル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
5F083EP03
, 5F083EP13
, 5F083EP22
, 5F083EP33
, 5F083GA22
, 5F083HA02
, 5F083HA06
, 5F083JA02
, 5F083JA04
, 5F083JA35
, 5F101BA02
, 5F101BA07
, 5F101BA12
, 5F101BA29
, 5F101BA35
, 5F101BA36
, 5F101BB02
, 5F101BD02
, 5F101BD16
, 5F101BD22
