特許

J-GLOBAL ID：200903088298826240

不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法

発明者： 白井 浩樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323928
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182877
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 複数の記憶素子を電気的に同時に消去するデータ消去方法において、過剰消去セルの救済、消去時間の短縮および消費電流の低減を図り、複数の記憶素子の消去後のしきい値のばらつきを小さくする。【構成】 消去する複数の記憶素子に対して所定の電圧の電気パルスを同時に印加する消去動作と、記憶素子の読み出しによって消去判定を行うベリファイとを繰り返して各記憶素子のしきい値を所定のしきい値以下に設定し、所定の制御ゲート電圧以下で電流の流れる記憶素子が存在するか否かを判定するディプレッションチェックを行い、電流が流れる記憶素子が存在すれば、存在しなくなるまで制御ゲートに正電圧を印加して記憶素子のしきい値を高める書き込みを行い、再度記憶素子の読み出しによって消去判定を行うベリファイにより、各記憶素子のうち所定のしきい値を越える記憶素子があれば消去動作以降を繰り返す。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲートと制御ゲートの2層構造ゲートを有する記憶素子を複数配置して構成される不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法において、消去する複数の記憶素子のしきい値を所定のしきい値以下に設定した後にディプレッションチェックを行い、電流が流れる記憶素子が存在すれば、存在しなくなるまで前記制御ゲートに正電圧を印加して記憶素子のしきい値を高めることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 530 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-154000
  
• 不揮発性半導体記憶装置の消去方法、消去機能を備えた不揮発性半導体記憶装置及び書込装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148169   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-230566
  
• 特開平4-154000