特許
J-GLOBAL ID：200903088301171927
トランジスタパッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153305
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340268
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 高融点のPbフリーはんだ材で信頼性のあるSiチップ/金属部材の接合構造を持つトランジスタパッケージを提供する。【解決手段】 接合部の構造を(TiまたはNi)/SnSbAgCu系合金/(TiまたはNi)としたトランジスタパッケージAを線膨張係数5ppm/°C〜9ppm/°Cの樹脂10でモールドした。Pbフリーのはんだ材4を接合材として使用し、Siチップ/金属リードの接合を行い、260°Cのリフローに耐える温度サイクル信頼性に優れたトランジスタパッケージAを提供することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップとチップ裏面電極に接続される第1の金属部材と、チップ上回路形成面の主電流電極に電気的に接続される第2の金属部材と、制御用電極に電気的に接続される第3の金属部材とを有し、前記金属部材の少なくとも一部が封止樹脂で覆われているトランジスタパッケージであって、
前記半導体チップと前記第1の金属部材とを接合する接合材は、固相温度225°C以上、245°C以下のSn、Sb、Ag、Cuを主成分とする合金であり、
前記合金には、AgとCuとが合わせて10〜35重量%、SbとSnとがSb/(Sn+Sb)の重量比率が0.23〜0.38で含まれており、
前記半導体チップと前記金属部材の少なくとも一部が線膨張係数5ppm/°C〜9ppm/°Cの前記封止樹脂で封止されていることを特徴とするトランジスタパッケージ。
IPC (5件)：
H01L21/52
, B23K35/26
, C22C13/00
, H01L23/29
, H01L23/31
H01L21/52 E
, B23K35/26 310A
, C22C13/00
, H01L23/30 R
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB03
, 4M109EA02
, 4M109EC04
, 5F047AA11
, 5F047BA06
, 5F047BA14
, 5F047BA15
, 5F047BA19
