量子ドット半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325405
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134841
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】量子ドットレーザの高速変調を可能にする。【解決手段】活性層を構成する量子ドット構造とキャリア注入用の量子井戸構造とを具備し、量子井戸構造のいずれか二つの量子準位である第1準位と第2準位間のエネルギー差が、第2準位より低エネルギーの第1準位と、第1準位より低エネルギーの量子ドット構造のいずれかの量子準位とのエネルギー差に等しい構成とする。

請求項（抜粋）：

活性層を構成する量子ドット構造とキャリア注入用の量子井戸構造とを具備し、前記量子井戸構造のいずれか二つの量子準位である第1準位と第2準位間のエネルギー差が、第2準位より低エネルギーの第1準位と、第1準位より低エネルギーの前記量子ドット構造のいずれかの量子準位とのエネルギー差に等しいことを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (6件)：

5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA75 , 5F073CA04 , 5F073EA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-277559 出願人：日本電気株式会社

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