特許

J-GLOBAL ID：200903026034112228

光半導体装置

発明者： 南部 芳弘 ,  富田 章久
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277559
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121870
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】キャリア注入効率に優れ、発行効率、高温変調特性、温度特性等に優れる、量子閉じこめ構造を有する光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体量子箱を含む活性層を備えた光半導体装置において、活性層3、5に隣接して帯間間接遷移型半導体層4を設ける。帯間間接遷移型半導体層4の間接バンドギャップは、半導体量子箱1の基底準位帯間遷移エネルギーと略等しくする。

請求項（抜粋）：

半導体量子閉じこめ構造を有する活性層を備えた光半導体装置において、該活性層に隣接して帯間間接遷移型半導体層が設けられたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-238756   出願人：株式会社東芝