特許
J-GLOBAL ID：200903088316267076
不揮発性メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164451
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347468
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 低コストで記憶容量が大きな低ビットコストの不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性メモリは複数の電極層を有する。各電極層には、略同一平面内で間隔をおいて平行に配置された複数の電極121,122,123,124...が配置されている。奇数番号の電極層に配置されている電極121,123...と偶数番号の電極層に配置されている電極122,124...とは概ね互いに直交し、連番号の電極層の電極間に、電気的手段により電気抵抗値が変化する金属酸化物131,132...が設けられ、最下段と最上段の電極を除き、奇数番号の電極層にある電極121,123...と偶数番号の電極層にある電極122,124...が共に、これらの電極の両面に設けられた金属酸化物131,132...と接続している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の上に設けられた第1の電極層と、
前記第1の電極層の上に設けられた第1の記録層と、
前記第1の記録層の上に設けられた第2の電極層と、
前記第2の電極層の上に設けられた第2の記録層と、
前記第2の記録層の上に設けられた第3の電極層と、
前記第3の電極層の上に設けられた第3の記録層と、
前記第3の記録層の上に設けられた第4の電極層とを備え、
前記第1から第4の電極層の各々は、
互いに平行に配置された複数の導体を含み、
前記第1から第3の記録層の各々は、
与えられる電気的手段に応答して電気抵抗値が変化する金属酸化物を含み、
前記第1の電極層に含まれる複数の導体は、前記第1の記録層に含まれる金属酸化物に電気的に接続されており、
前記第2の電極層に含まれる複数の導体は、前記第1の記録層に含まれる金属酸化物と前記第2の記録層に含まれる金属酸化物とに電気的に接続されており、
前記第3の電極層に含まれる複数の導体は、前記第2の記録層に含まれる金属酸化物と前記第3の記録層に含まれる金属酸化物とに電気的に接続されており、
前記第4の電極層に含まれる複数の導体は、前記第3の記録層に含まれる金属酸化物に電気的に接続されている、
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083JA21
, 5F083KA01
, 5F083KA05
