特許

J-GLOBAL ID：200903088319907980

カーボンナノクラスタ膜の形成方法

発明者： 廣野 滋 ,  梅村 茂 ,  富田 雅人
出願人/特許権者： エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-289289
公開番号（公開出願番号）：特開2003-096555
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 特異な物性を示す微小な炭素材料からなる結晶性の膜であるカーボンナノクラスタ膜をECRスパッタ法により形成する。【解決手段】 磁場が印加されたプラズマ室にプラズマ生成用ガスおよびマイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成する工程と、磁場によりプラズマ室から成膜室にプラズマを引き出す工程と、プラズマによるプラズマ流を囲むように、成膜室に配置された円筒状のカーボンからなるターゲットを、プラズマでスパッタする工程とを備え、複数のグラーフェンシートにより構成された複数のクラスタにより形成された膜を、成膜室に配置された基板の上に形成するカーボンナノクラスタ膜の形成方法であって、成膜室に配置された前記基板に0〜-150Vのバイアス電圧を印加した。

請求項（抜粋）：

磁場が印加されたプラズマ室にプラズマ生成用ガスおよびマイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成する工程と、前記磁場により前記プラズマ室から成膜室に前記プラズマを引き出す工程と、前記プラズマによるプラズマ流を囲むように、前記成膜室に配置された円筒状のカーボンからなるターゲットを、前記プラズマでスパッタする工程とを備え、複数のグラーフェンシートにより構成された複数のクラスタにより形成された膜を、前記成膜室に配置された基板の上に形成するカーボンナノクラスタ膜の形成方法であって、前記成膜室に配置された前記基板に0〜-150Vのバイアス電圧を印加することを特徴とするカーボンナノクラスタ膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/35

FI (3件)：

C23C 14/06 F ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 14/35 F

Fターム (15件)：

4G046CA01 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4K029AA06 ,  4K029BA34 ,  4K029BB01 ,  4K029BB08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC05 ,  4K029DC13 ,  4K029DC48

引用特許：

審査官引用 (1件)

• アモルファスカーボン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-250205   出願人：日本電信電話株式会社