特許
J-GLOBAL ID：200903088335970047

薄膜積層体、その薄膜積層体を用いたアクチュエータ素子、フィルター素子、強誘電体メモリ、および光偏向素子

発明者：
近藤 正雄

近藤 正雄 について

, 
栗原 和明

栗原 和明 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-105975
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294452
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 優れた結晶性を有し、良好な圧電性、電歪性、強誘電性、あるいは電気光学効果を有する薄膜をエピタキシャル成長可能な薄膜積層体、その薄膜積層体を用いたアクチュエータ素子、フィルター素子、強誘電体メモリ、および光偏向素子を提供する。【解決手段】 薄膜積層体10は、単結晶基板11と、単結晶基板11上に、酸化ジルコニウム膜12、C-希土構造膜13、単純ペロブスカイト構造膜14がエピタキシャル成長により順次積層された構成を有する。C-希土構造(立方結)の結晶構造を有する希土類酸化物のC-希土構造膜13を酸化ジルコニウム膜12上に形成することにより、単純ペロブスカイト格子を有する結晶構造の金属酸化物からなる単純ペロブスカイト構造膜14を(001)面配向に形成できる。単純ペロブスカイト構造膜14はC-希土構造膜13に対して結晶成長方向を回転軸として45度回転して成長する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶基板と、 前記単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成された酸化ジルコニウムを主成分とする中間層と、 前記中間層上にエピタキシャル成長により形成されたC-希土構造の結晶構造を有する酸化物からなるC-希土構造膜と、 前記C-希土構造膜上にエピタキシャル成長により形成された単純ペロブスカイト格子を有する結晶構造の金属酸化物からなる単純ペロブスカイト構造膜と、を備えた薄膜積層体。
IPC (11件)：
H01L41/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25
FI (13件)：
H01L41/08 D ,  H03H9/145 C ,  H03H9/25 C ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101E ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/04 C
Fターム (23件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083JA12 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR25 ,  5J097AA28 ,  5J097BB11 ,  5J097EE08 ,  5J097FF02 ,  5J097GG06
引用特許：
出願人引用 (1件)

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