特許
J-GLOBAL ID：200903088336658896

有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

発明者：
小松 隆宏

小松 隆宏 について

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行徳 明

行徳 明 について

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濱野 敬史

濱野 敬史 について

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中島 寛

中島 寛 について


出願人/特許権者：
九州松下電器株式会社

九州松下電器株式会社 について

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中島 寛

中島 寛 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208014
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025765
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の上部に、ダークスポット成長を完全に抑制することが可能な膜厚まで形成でき、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の侵入を防ぐことが可能な保護部を有する信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子上部に配置した保護部9をシリコン窒化酸化物8を含む2種以上の物質からなる積層構造体としたものである。この構成によって、応力により素子部を破壊することなく厚膜の保護部を簡単に形成することができ、外部からの水分、酸素等の侵入を完全に防止することが可能となる。
請求項（抜粋）：
透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備え、さらに上部に保護部を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記保護部が2種以上の材料からなる積層構造体であり、かつ前記保護部の少なくとも一部分にシリコン窒化酸化物が使用されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (7件)：
H05B 33/04 ,  C09K 11/06 602 ,  C09K 11/06 660 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/30 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H05B 33/04 ,  C09K 11/06 602 ,  C09K 11/06 660 ,  C23C 14/34 N ,  C23C 16/30 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (28件)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC48 ,  4K029FA07 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030LA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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