特許

J-GLOBAL ID：200903088362307104

半導体素子

発明者： ツォン リー ,  下井 規弘 ,  桐野 好生
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087595
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264780
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエハの再構成された表面を利用し、高度の電子移動度が得られ、相関的に動作速度が向上する半導体素子の提供。【構成】 所定方向に0.01〜5°の傾斜角度で傾斜スライスされたシリコンウエハ表面を洗浄後、所定雰囲気下で熱処理し再構成されたステップ構造を有するシリコンウエハを基板とする素子であって、該ステップ構造を構成する各ステップ平面内で電子移動を生起させることを特徴とする半導体素子。前記傾斜スライスが、面方位(100)の単結晶シリコンを[110]方向になされることが好ましく、また、半導体素子として各ステップ平面内にソース-ゲート-ドレインが直列して配置されたMOSデバイスであることが好ましい。

請求項（抜粋）：

所定方向に0.01〜5°の傾斜角度で傾斜スライスされたシリコンウエハ表面を洗浄後、所定雰囲気下で熱処理し再構成されたステップ構造を有するシリコンウエハを基板とする素子であって、該ステップ構造を構成する各ステップ平面内で電子移動を生起させることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Q ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-118918
  
• 半導体ヘテロ界面形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334205   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-118918