レーザ加工用誘電体マスクとその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035566
公開番号（公開出願番号）：特開平7-241690
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】レーザ加工において、場所的に深さの異なる複数個のパターンを同時に形成することを目的とする。【構成】ガラス基板上の誘電体多層膜を、場所的に膜厚の異なるマスクパターンに加工することでレーザ加工用誘電体マスクを形成する。マスクパターンは、ホトリソグラフィ及びイオンミリングまたは反応性イオンミリングまたは反応性イオンエッチングの組合せで加工されるが、少なくとも2回以上の露光及びエッチングまたはイオンミリング時のイオンビームの遮蔽板の移動またはレジストのポストベーク条件等により、場所的に膜厚の異なるパターンを形成する。このマスクを通過したレーザ光のエネルギ密度は、誘電体多層膜の膜厚の違いに依存して変化し、場所的に異なるエネルギ密度分布となるため、場所的に深さの異なる複数個の穴を同時に加工することが可能となる。

請求項（抜粋）：

使用する波長のレーザ光を透過する基板上に設けた誘電体多層膜からなる反射膜に膜厚分布をつけることにより、レーザ光透過率を局所的に変化させることを特徴とするレーザ加工用誘電体マスク。

IPC (7件)：

B23K 26/00 330 , B23K 26/06 , C23F 4/00 , G03F 1/08 , G03F 7/20 506 , G03F 7/26 511 , H05K 3/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-154765 出願人：松下電器産業株式会社

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