特許
J-GLOBAL ID：200903088365033030

電磁シールド膜およびそのメッシュ構造パターンの設計方法

発明者：
伊東 雅宏

伊東 雅宏 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-386320
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150427
出願日： 2003年11月17日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】モワレフリンジが出ないメッシュ構造のパターンをコンピュータを利用して設計する方法を提供する。【解決手段】入力部から演算部へ、数値a,bを入力し、x座標軸,y座標軸よりなる仮想座標を作成し、仮想座標上に、x座標軸に平行な直線とy座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがa,bである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成し、仮想矩形を記憶部から読出された乱数を用いてx座標軸および/またはy座標軸方向に平行移動させ、平行移動された仮想矩形の各辺の長さを、記憶部から読出された乱数を用いて変更して、略矩形群を形成する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを、コンピュータを用いて設計する方法であって、 入力部から演算部へ、数値a,bが入力されるステップと、 演算部で、x座標軸,y座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、 演算部で、前記仮想座標上に、x座標軸に平行な直線とy座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがa,bである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、 演算部で、前記仮想矩形を記憶部から読出された乱数を用いてx座標軸および/またはy座標軸方向に平行移動させるステップと、 演算部で、前記平行移動された仮想矩形の各辺の長さa,bを、記憶部から読出された乱数を用いて変更して、略矩形群を形成するステップとを含み、 前記仮想座標上で、前記略矩形群の各略矩形の各辺がx座標軸およびy座標軸方向に互いに直線状に並ばないメッシュ構造のパターンを作成する設計方法。
IPC (1件)：
H05K9/00
FI (2件)：
H05K9/00 Z ,  H05K9/00 V
Fターム (5件)：
5E321AA04 ,  5E321BB41 ,  5E321BB60 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM