特許

J-GLOBAL ID：200903088383341760

イオン・ビ-ム・スパッタ付着システム

発明者： ムスタファ・ピナルバシ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153255
公開番号（公開出願番号）：特開2000-073165
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ基板上に、各層の物理的特性および厚さの均一性の向上した積層構造を形成することを可能にするイオン・ビーム・スパッタ・システムを提供する。【解決手段】 真空チャンバ、イオン・ビーム源、複数ターゲット、シャッタ、および真空チャンバでのイオン・ビーム・スパッタ付着プロセス中にウェーハ基板を固定して保持するための基板ステージを有するイオン・ビーム・スパッタ・システムにおいて、ターゲットからのフラックスが非垂直の角度でウェーハ基板に当たるように、基板ステージをその垂直軸を中心に傾動させ、それによって、基板上に付着される薄膜の、物理的、電気的、および磁気的特性と厚さの均一性が向上する。

請求項（抜粋）：

イオン・ビーム・スパッタ付着システムであって、真空チャンバと、前記真空チャンバ内にある材料のターゲットと、前記真空チャンバ内に配置されたウェーハ上に前記ターゲット材料を付着するために、前記ターゲットにイオンを向けるためのイオン・ビーム源と、前記ウェーハを保持するための基板ステージとを含み、前記基板ステージが前記ターゲット材料の付着前または付着中に傾動可能である、システム。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/46 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

C23C 14/34 J ,  C23C 14/46 Z ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-033564
  
• 特開平1-205071
  
• 特開昭63-195264
  
• 薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-310291   出願人：株式会社トキメック