特許
J-GLOBAL ID：200903088393811781
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-366474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261098
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 屈折型光受光素子において、薄い光吸収層でありながら高受光感度が得られ、又、超高速動作も可能となる半導体受光素子を提供することにある。【解決手段】 光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする屈折型半導体受光素子において、光受光層の上層における屈折した入射光の主たる到達領域が半導体層より屈折率の小さな媒質で終端され、その部分で光が全反射するように構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子において、光受光層の上層における屈折した入射光の主たる到達領域が半導体層より屈折率の小さな媒質で終端され、その部分で光が全反射するように構成されていることを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
前のページに戻る
