特許

J-GLOBAL ID：200903088401981900

太陽電池

発明者： 佐藤 琢也 ,  橋本 泰宏 ,  根上 卓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264112
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080370
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】カルコパイライト型半導体を用いた太陽電池用の基板の絶縁耐圧を高め、低コストで提供する。 【解決手段】本発明の太陽電池(10)は、カルコパイライト構造を有する化合物半導体を光吸収層として用い、基板(11)上にSiO2:40〜60wt%、B2O3:15〜30wt%、Na2O:2〜10wt%、TiO2:8〜20%を含有するガラス絶縁層(12)を設ける。これにより、短絡電流、開放端電圧、曲線因子、変換効率等の基本的特性を高い維持しつつ、絶縁耐圧を高くできる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

カルコパイライト構造を有する化合物半導体を光吸収層として用いる太陽電池であって、基板上にSiO2:40〜60wt%、B2O3:15〜30wt%、Na2O:2〜10wt%、TiO2:8〜20%を含有するガラス層を設けたことを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (9件)：

5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051BA18 ,  5F051CB15 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA13 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339748   出願人：日新製鋼株式会社
• 特開昭62-276883号公報