特許

J-GLOBAL ID：200903088403319759

銅構造物を含有する半導体基板から残留物を除去するための1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤及び銅防蝕剤を含む組成物

発明者： ウィリアム エー.ボゼザック ,  マ.ファチィマ セイジョ ,  デービッド バーンハード ,  ロング ヌエン
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-350780
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031890
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】精巧な銅の連絡構造物を含有する半導体ウェーハからの無機残留物などレジストアッシングステップ後に残留物を有効に除去する化学組成物を提供する。【解決手段】2〜98重量%の有機アミンと、0〜50重量%の水と、0.1〜60重量%の1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤と、0〜25重量%の追加の異なるキレート化剤類と、0.1〜40重量%の窒素含有カルボン酸又はイミンと、2〜98重量%の極性有機溶媒とを含む半導体ウェーハ洗浄組成物を提供する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

プラズマアッシング半導体製造後において使用するための半導体ウェーハ洗浄組成物であって、(組成物の総重量に基づく)重量パーセント範囲の以下の成分を含む洗浄組成物。 有機アミン類 2〜98% 水 0〜50% 1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤 0.1〜60% 追加の異なるキレート化剤類 0〜25% 窒素含有カルボン酸又はイミン 0.1〜40% 極性有機溶媒 2〜98% 合計 100%

IPC (7件)：

H01L21/304 ,  C11D7/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60

FI (7件)：

H01L21/304 647A ,  C11D7/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60

Fターム (14件)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA02 ,  4H003EB03 ,  4H003EB07 ,  4H003EB09 ,  4H003EB12 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB17 ,  4H003EB20 ,  4H003ED02 ,  4H003ED29 ,  4H003ED30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板から残留物をストリッピングするための1,3-ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-529071   出願人：アドバンスドケミカルシステムズインターナショナル,インコーポレイテッド
• 表面に遷移金属又は遷移金属化合物を有する半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-015257   出願人：三菱化学株式会社
• 表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-014501   出願人：三菱化学株式会社