特許

J-GLOBAL ID：200903088413565464

窒化チタン膜形成方法

発明者： ジョン タエ キム ,  サン ボ ホワン
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005239
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337875
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【課題】 TiN層に内包された不純物の量を減少させ、これにより比抵抗値を減少させる、即ち、不純物の含量が小さくとても緻密な薄膜の特性を示し、大気中放置時時間の経過による比抵抗の増加率が極めて低く電気的安定性が優秀なTiN層を形成できる窒化チタン(TiN)膜形成方法を提供する。【解決手段】 本発明は半導体素子でアルミニウムのバリヤメタル及びタングステンのグルーレイヤ(Glue layer)として主に使用する窒化チタン(TiN)層の特性を向上させる窒化チタン(TiN)膜形成方法に関するもので、ソース物質からTiN膜を形成する第1工程;及び上記TiN膜を水素及び窒素プラズマガスに露出させる第2工程を包含してなる。

請求項（抜粋）：

ソース物質からTiN膜を形成する第1工程;及び、前記TiN膜を水素及び窒素のプラズマガスに露出させる第2工程を包含してなることを特徴とするTiN膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/34 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 16/34 ,  C23C 14/06 A ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜の形成方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271024   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平3-135018