特許
J-GLOBAL ID：200903088441329210

半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
大日方 孝好

大日方 孝好 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078097
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288816
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】本発明は、樹脂層の剥離を防止又は抑制することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、集積回路12と、集積回路12に電気的に接続する配線と、が形成されており、配線の一部であるパッド16を表面に含む半導体チップ40を有する。半導体装置は、パッド16と電気的に接続してなる再配線層22と、再配線層22の上方に再配線層22に電気的に接続して設けられた外部端子26と、外部端子26を囲むとともに半導体チップ40の側面に至るように設けられてなる樹脂層30と、を含む。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
集積回路と、前記集積回路に電気的に接続する配線と、が形成されており、前記配線の一部であるパッドを表面に含む半導体チップと、 前記パッドと電気的に接続してなる再配線層と、 前記再配線層の上方に、前記再配線層に電気的に接続して設けられた外部端子と、 前記外部端子を囲むとともに、前記半導体チップの側面に至るように設けられてなる樹脂層と、 を含む半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (3件)：
H01L23/12 501P ,  H01L23/30 B ,  H01L21/92 603B
Fターム (5件)：
4M109AA02 ,  4M109CA10 ,  4M109CA24 ,  4M109EA15 ,  4M109EC04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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