特許

J-GLOBAL ID：200903088447585421

組成勾配を有する金属メタロイド酸化物および窒化物の堆積方法

発明者： ヨシヒデ センザキ ,  アーサー ケネス ホッチバーグ ,  ジョン アンソニー トーマス ノーマン
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033317
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 電子材料の基体上に、金属およびメタロイドの組成勾配を層中に有する多数の金属およびメタロイド化合物層を堆積させる方法を提供する。【解決手段】 a)2つ以上の金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体を供給すること;b)該前駆体を該基体が配置されている堆積帯域に送り出すこと;c)堆積条件下で該基体を該前駆体と接触させること;d)該堆積条件の温度を、該接触の間に、第1の温度から、該第1の温度より少くとも40°C異なる第2の温度に変動させること、ならびにe)多くの金属およびメタロイド化合物層を該前駆体から該基体上に堆積させ、段階dの結果として該層中に金属およびメタロイドの該組成勾配を生じさせる。

請求項（抜粋）：

電子材料の基体上に、金属およびメタロイドの組成勾配を層中に有する多数の金属およびメタロイド化合物層を堆積させる方法であり:a)2つ以上の金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体を供給すること;b)該金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体を該基体が配置されている堆積帯域に送り出すこと;c)堆積条件下で該基体を該金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体と接触させること;d)該堆積条件の温度を、該接触の間に、第1の温度から、該第1の温度より少くとも40°C異なる第2の温度に変動させること、ならびにe)多くの金属およびメタロイド化合物層を該金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体から該基体上に堆積させ、段階d)の結果として該層中に金属およびメタロイドの該組成勾配を生じさせること、を含んでなる方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 L

Fターム (36件)：

4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA25 ,  4K030BA26 ,  4K030BA29 ,  4K030BA33 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BB00 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F033RR03 ,  5F033RR05 ,  5F033RR07 ,  5F033SS01 ,  5F033SS13 ,  5F033XX33 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF20 ,  5F058BF41 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭48-034798
  
• 高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025245   出願人：三菱電機株式会社