特許

J-GLOBAL ID：200903027462574046

高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置

発明者： 川原 孝昭 ,  山向 幹雄 ,  蒔田 哲郎 ,  堀川 剛 ,  結城 昭正 ,  芝野 照夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025245
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219497
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体メモリのキャパシタの誘電体薄膜として誘電率が高く且つ漏れ電流の少ない特性をもつ(Ba,Sr)TiO3 膜を得ること。【解決手段】 Ba,Sr,TiのDPM(ジピバロイルメタナート)化合物をTHF(テトラヒドロフラン)に溶解させたBa(DPM)2 /THF,Sr(DPM)2 /THF,TiO(DPM)2 /THF溶液を原料溶液とし、Ba原料流量およびSr原料流量の和に対するTi原料流量の相対的割合を成膜中に増加させつつCVD法により(Ba,Sr)TiO3 膜を形成する。膜形成を多段階に行い、各段階において膜堆積後にアニール処理する。

請求項（抜粋）：

Ba原料、Sr原料、Ti原料としてBaのジピバロイルメタンDPM化合物、SrのジピバロイルメタンDPM化合物、TiのジピバロイルメタンDPM化合物を夫々有機溶剤に溶かした溶液を用いてCVDによりチタン酸バリウムストロンチウム(Ba,Sr)TiO3 膜を形成する方法において、Ba原料流量およびSr原料流量の和に対するTi原料流量の相対的割合を成膜中に増加させることを特徴とする高誘電率薄膜形成方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195829   出願人：株式会社日立製作所
• 金属複合酸化物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-133047   出願人：日本電気株式会社
• CVD法による酸化物系誘電体薄膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-289780   出願人：三菱電機株式会社
• 高誘電率の材料を用いたキャパシタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288807   出願人：三星電子株式会社