特許
J-GLOBAL ID：200903088458278547
光電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354820
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるp層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】 pin接合を有する光電変換素子を構成するp層が、5nm以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第1p層7とp型不純物を含まないガス分解によって形成された第2p層8とが積層してなる光電変換素子。
請求項（抜粋）：
pin接合を有する光電変換素子を構成するp層が、5nm以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第1p層とp型不純物を含まないガス分解によって形成された第2p層とが積層してなることを特徴とする光電変換素子。
引用特許：
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