特許

J-GLOBAL ID：200903088464379967

マスク修正装置の黒欠陥修正方法

発明者： 高岡 修 ,  相田 和男
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173334
公開番号（公開出願番号）：特開2000-010260
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 集束イオンビームを応用したマスク欠陥修正装置において、イオンビームによる露出しているガラス基板と黒欠陥の下地のガラス部分の両方へのGaステインによる透過率の減少とガラス表面の削れによる透過光の位相のシフトを低減する。【解決手段】 アシストガスのGaステインの抑制効果と、Gaステインやガラス表面の削れが問題にならない照射密度になるような走査速度で走査を行って、修正位置およびその周辺の像をいったん取り込み、取り込んだ像から黒欠陥の存在領域を画像処理で識別して、ガス支援エッチング効果が最も大きくなる走査速度で黒欠陥領域のみの選択的な走査を併用して黒欠陥を修正する。

請求項（抜粋）：

Ga+イオンを放出するイオン源と、上記イオンを集束するためのイオン光学系と、上記集束イオンビームを試料上の所望の位置に照射するための偏向電極と、試料の表面から放出される二次イオンを検出するための検出器と、二次イオンの平面強度分布に基づいてマスクまたはレチクルを表示する画像表示装置と、上記マスクまたはレチクルのパターンの余剰部分に選択的に集束イオンビームを繰り返し走査しながら照射して、アシストガスの化学増幅作用により上記パターンの余剰部分を除去する手段や原料ガスの分解による堆積膜により上記パターンの欠如している部分を修正する手段を有するマスク修正装置において、上記アシストガスを使用してエッチングしたときのガラス基板中の残留Gaの抑制効果と、ガラス基板の露出部分へのGaイオンの照射密度が4×1014ion/cm2以下になるような走査速度で走査を行って、修正位置およびその周辺の像をいったん取り込み、取り込んだ像から黒欠陥の存在領域を画像処理で識別して、欠陥修正はガス支援エッチング効果が最も大きくなる走査速度で黒欠陥領域のみの選択的な走査を併用することで、残留Gaもイオンビームによるガラス基板の削れも少ない黒欠陥修正ができることを特徴とするマスク修正装置。【請求項2】 上記の取り込んだ像の黒欠陥存在領域の境界をコンピュータのマウス等の入力装置で画素単位で指定し、欠陥修正はガス支援エッチング効果が最も大きくなる走査速度で、指定した黒欠陥と見なした領域内のみを選択的に走査することで、残留Gaもイオンビームによるガラス基板の削れも少ない黒欠陥修正ができることを特徴とする特許請求項1記載のマスク修正装置。【請求項3】 上記の取り込んだ像と上記マスクまたはレチクル上の正常なパターンの形状の比較により黒欠陥領域を識別して、欠陥修正はガス支援エッチング効果が最も大きくなる走査速度で黒欠陥領域のみを選択的に走査することで、残留Gaもイオンビームによるガラス基板の削れも少ない黒欠陥修正ができることを特徴とする特許請求項1記載のマスク修正装置。【請求項4】 上記の取り込んだ像と設計データからパターン発生回路を通して生成した理想的なパターンと比較して黒欠陥領域を識別して、欠陥修正はガス支援エッチング効果が最も大きくなる走査速度で黒欠陥領域のみを選択的に走査することで、残留Gaもイオンビームによるガラス基板の削れも少ない黒欠陥修正ができることを特徴とする特許請求項1記載のマスク修正装置。

IPC (5件)：

G03F 1/08 ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/027 ,  H01J 37/22 502 ,  H01J 37/305

FI (6件)：

G03F 1/08 V ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 502 H ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 541 Z

Fターム (17件)：

2G001AA05 ,  2G001AA09 ,  2G001BA06 ,  2G001CA05 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA04 ,  2H095BD32 ,  2H095BD35 ,  5C034BB09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• パターン膜の修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-237877   出願人：株式会社東芝
• マスク欠陥修正装置および修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-217282   出願人：株式会社東芝
• 特公昭62-060699
  
• 特開平3-231749
  
• 特開平3-231748