特許
J-GLOBAL ID：200903088514744769

スイッチモジュール

発明者：
榎木 雅人

榎木 雅人 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-114656
公開番号（公開出願番号）：特開2008-271420
出願日： 2007年04月24日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】 多層基板を小型化しても干渉が生じ難く、優れた電気的特性が得られるスイッチモジュールを提供する。【解決手段】 複数の通信システムに対応し、通信システムの送受信信号が通過する伝送経路を切り替えるFETスイッチ回路と、FETスイッチ回路に接続した複数のフィルタ回路を備えたスイッチモジュールであって、多層基板の誘電体層に形成した電極パターンによってフィルタ回路を構成するインダクタとコンデンサの少なくとも一部を形成し、スイッチング素子を多層基板に実装し、多層基板の底面には、FETスイッチ回路の制御信号入力ポートと接続する制御端子と、グランド端子と、高周波端子を備え、多層基板の底面側の誘電体層には第1グランド電極を形成し、その上側の誘電体層には第2グランド電極を形成し、第1グランド電極と第2グランド電極の間の誘電体層には複数の制御信号用線路を形成するが、インダクタ用の電極パターンは形成しない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の通信システムに対応し、前記通信システムの送受信信号が通過する伝送経路を切り替えるFETスイッチ回路と、前記FETスイッチ回路に接続された複数のフィルタ回路を備えたスイッチモジュールであって、 多層基板の誘電体層に形成された電極パターンによって、前記フィルタ回路を構成するインダクタとコンデンサの少なくとも一部が形成され、スイッチング素子が前記多層基板に実装され、 前記多層基板の底面には、FETスイッチ回路の制御信号入力ポートと接続する制御端子と、グランド端子と、高周波端子を備え、前記多層基板の底面側の誘電体層には第1グランド電極が形成され、その上側の誘電体層には第2グランド電極が形成され、 第1グランド電極と第2グランド電極の間の誘電体層には、複数の制御信号用線路が形成されるが、前記インダクタ用の電極パターンは形成されないことを特徴とするスイッチモジュール。
IPC (2件)：
H04B 1/40 ,  H01P 1/15
FI (2件)：
H04B1/40 ,  H01P1/15
Fターム (10件)：
5J012BA03 ,  5J012BA04 ,  5K011BA03 ,  5K011DA01 ,  5K011DA21 ,  5K011DA27 ,  5K011EA01 ,  5K011FA01 ,  5K011KA03 ,  5K011KA04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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