特許

J-GLOBAL ID：200903088517600253

集積されたコンパクトなコンデンサと抵抗/インダクタの構成

発明者： リチャード・フレデリック・キール ,  ラム・ケルカー ,  イリヤ・ヨシフォヴィッチ・ノヴォフ ,  ジェフリー・ハワード・オポルド ,  ケニス・ディーン・ショート ,  ステファン・デール・ワイアット
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107186
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】FET技法を用いて形成されるコンデンサと、抵抗またはインダクタもしくはその両方との改良された構成を提供する。【解決手段】基板の拡散ゾーンをコンデンサの一方のプレートとして使用し、通常はFETのゲート電極になるものが、コンデンサのもう一方のプレートとして使用され、この2枚のプレートは、通常の薄い誘電ゲート酸化物層によって分離される。二酸化珪素などの絶縁体が、ゲート電極に重なり、コンデンサの2枚のプレートを、必要に応じてさまざまなデバイスや構成要素に接続できるようにする。この絶縁層の上面は、金属抵抗の形成にも使用される。必要に応じて、第2の絶縁層を使用し、第2レベルの金属を使用して、第1層の抵抗のセグメントを接続して、より長い抵抗を形成することができる。この金属の第2層は、インダクタの形成にも使用できる。さらに、インダクタと抵抗の両方を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1プレートとそこから離され誘電材料の層によって分離された第2プレートとを有するコンデンサと、前記第2プレートに重なり、前記第2プレートから離れた金属受け面を有する電気絶縁材料の層と、前記金属受け面から前記絶縁材料を通って延び、前記第1プレートに接続する第1電気コネクタと、前記金属面から前記絶縁材料を通って延び、前記第2プレートに接続する第2電気コネクタと、前記絶縁材料の前記金属受け面に配置された抵抗およびインダクタのグループから選択された少なくとも1つの金属回路要素とを含み、独立の電気的に絶縁された回路要素をその上に形成されたコンデンサから構造が形成される、集積回路構造。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/10 661

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 複合集積回路部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142882   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所