特許
J-GLOBAL ID:200903088534002424
全反射減衰を利用した測定方法および測定装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-288105
公開番号(公開出願番号):特開2006-098369
出願日: 2004年09月30日
公開日(公表日): 2006年04月13日
要約:
【課題】 小型で安価な装置で、簡便にかつ高精度に全反射減衰の状態を測定する。【解決手段】 実際の測定を行う前に、測定流路76内へエアーを充填し、p偏光光ビーム30を界面12aへ入射させ、界面12aで全反射したp偏光光ビーム30の光強度分布をフォトダイオードアレイである光検出器40で検出することにより、p偏光光ビーム30そのものの光強度分布である基準光強度分布を取得して、測定手段61へ記憶する。その後、測定対象である試料を測定流路76内へ充填し、界面12aで全反射したp偏光光ビーム30の光強度分布を測定する。測定手段61において、分布値毎に基準光強度分布により除算することにより、光ビームの光強度分布のばらつきの影響を相殺して、全反射減衰角θSPの位置を高精度に検出する。p偏光波からなる光ビームを使用でき、また界面12aで全反射した光ビームをp偏光波とs偏光波へ分離する分離手段を設ける必要もない。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
p偏光光ビームに対して透明な誘電体ブロックおよびこの誘電体ブロックの一面に形成され試料に接触させられる薄膜層を備えてなる測定ユニットの前記誘電体ブロックを通して、前記p偏光光ビームを該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件が得られるように種々の入射角で入射させ、
前記界面で全反射したp偏光光ビームの光強度分布を検出し、
該光強度分布に基いて、全反射減衰の状態を測定する全反射減衰を利用した測定方法において、
前記界面で全反射し、かつ全反射減衰の状態を反映していない前記p偏光光ビームの光強度分布である基準光強度分布を予め取得し、
前記光強度分布の個々の分布値を前記基準光強度分布の個々の分布値により除算して、全反射減衰情報を生成し、該全反射減衰情報に基づいて全反射減衰の状態を測定することを特徴とする全反射減衰を利用した測定方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (19件):
2G059AA01
, 2G059BB01
, 2G059BB04
, 2G059BB12
, 2G059CC16
, 2G059DD12
, 2G059DD13
, 2G059EE01
, 2G059EE04
, 2G059FF04
, 2G059GG01
, 2G059GG04
, 2G059JJ12
, 2G059JJ19
, 2G059KK04
, 2G059MM09
, 2G059MM10
, 2G059MM12
, 2G059MM14
引用特許:
前のページに戻る