特許

J-GLOBAL ID：200903088535685932

半導体発光素子

発明者： 尺田 幸男 ,  中田 俊次 ,  松本 幸生
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059220
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256600
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 AlGaInP系化合物半導体により発光層形成部が形成され、ウインドウ層としてキャリア濃度が高い半導体層とバンドギャップエネルギーが大きいGaP層との積層構造からなるウインドウ層が用いられる半導体発光素子において、ウインドウ層での光の吸収を極力抑えると共に、膜質を低下させないで、発光効率が高く電気特性の優れた発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に設けられ、AlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるウインドウ層7とを備える半導体発光素子であって、前記ウインドウ層がキャリア濃度の大きい半導体層7aとバンドギャップエネルギーの大きい半導体層7cの積層構造からなり、該両層の間に両層の格子歪を緩和するバッファ層7bが設けられている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられ、AlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるウインドウ層とを備える半導体発光素子であって、前記ウインドウ層がキャリア濃度の大きい半導体層とバンドギャップエネルギーの大きい半導体層との積層構造からなり、該両層の間に両層の格子歪を緩和するバッファ層が設けられてなる半導体発光素子。

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211229   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211229   出願人：株式会社日立製作所