半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-205471
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027308
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】半導体チップの外周部も含めて放熱できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板3の表面層にアノード領域4を形成し、半導体基板3の外周部に絶縁膜6を形成し、アノード領域4上と絶縁膜6上にひさし部7aを有するアノード電極7を形成し、ひさし部7aを含めたアノード電極7と金属部品1を第1はんだ層9を介して固着する。金属部品1の面積S3を、前記のアノード領域4の面積S1より大きく前記アノード電極より小さくすることで、半導体チップの外周部も含めて放熱でき、また良好なはんだのフィレットとすることができて、はんだによる固着強度を増強することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップと、該半導体チップの第1主面上に該半導体チップの活性領域を取り囲んで形成される絶縁膜と、前記活性領域上から前記第1絶縁膜上に延在するひさし部を有する第1主電極と、前記半導体チップの第2主面側に形成される第2主電極と、前記ひさし部を含む前記第1主電極とはんだを介して固着される導体と、を有する半導体装置であって、前記はんだが接触する側の前記導体の平坦面の面積が、前記活性領域の面積より大きく前記ひさし部を含む第1主電極の面積より小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 , H01L 29/861 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/52 J , H01L29/91 D , H01L29/78 652Q

Fターム (3件)：

5F047JA01 , 5F047JA05 , 5F047JA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-152979 出願人：富士電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-017955 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (1件)

縦型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-260511 出願人：株式会社東芝

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