基板周縁部の不要物除去装置及び半導体製造装置並びに基板周縁部の不要物除去方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小林和憲 , 飯嶋茂 , 小林英了
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012029
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177512
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】ウェハープロセスの過程でウェハーの周縁部に付着した不要物を効率的に除去する。【解決手段】チャンバ30内の基板ステージ31上にウェハー20を載置する。配管38の供給口38aからヘリウムガスをチャンバ30内に導入し、プラズマ発生手段によりヘリウムガスのプラズマP1を生成する。続いて処理ガス供給用のノズル33から塩素ガスを導入して塩素ガスのプラズマP2を生成する。排気装置による排気速度を調節して、ウェハー20の周縁部で塩素ガスの濃度を高く制御し、この塩素ガスのプラズマP2でウェハー20の周縁部を包み込み、そこに付着した不要物をエッチング除去する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に処理ガスを供給するとともに、前記チャンバ内における前記処理ガスの濃度が前記基板の周縁部で高くなるように制御するガス濃度制御手段と、前記処理ガスをプラズマ化して前記チャンバ内にプラズマを発生させる誘導結合型のプラズマ発生手段とを備え、前記基板の周縁部に付着した不要物を前記プラズマによりエッチング除去することを特徴とする基板周縁部の不要物除去装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 , B08B 7/00

FI (4件)：

H01L21/302 102 , H01L21/304 645C , B08B7/00 , H01L21/302 101C

Fターム (22件)：

3B116AA02 , 3B116AA03 , 3B116AB08 , 3B116AB42 , 3B116BC01 , 3B116CD33 , 3B116CD41 , 3B116CD43 , 5F004BB03 , 5F004BB13 , 5F004BD01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CB09 , 5F004CB15 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB26 , 5F004EB02

引用特許：

出願人引用 (2件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-045446 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体装置の製造方法および研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-359818 出願人：株式会社東芝

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