特許
J-GLOBAL ID：200903088570838237
レジスト処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-157131
公開番号（公開出願番号）：特開2009-175660
出願日： 2008年06月16日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】ダブルパターニング法等のマルチパターニング法において、1回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】(1)酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶・難溶、酸と作用した後可溶となる樹脂(A)(重量平均分子量:1万〜4万)、光酸発生剤(B)及び架橋剤(C)を含む第1のレジスト組成物を基体上に塗布・乾燥して第1のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第1のレジストパターンを得、これをハードベークし、この上に第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第2のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャーベークし、現像して第2のレジストパターンを得る工程を含むレジスト処理方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂(A)、光酸発生剤(B)及び架橋剤(C)を含有し、樹脂(A)の重量平均分子量が10000以上、40000以下である第1のレジスト組成物を、基体上に塗布し、乾燥して第1のレジスト膜を得る工程、
(2)第1のレジスト膜をプリベークする工程、
(3)第1のレジスト膜を露光処理する工程、
(4)第1のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、
(5)第1のアルカリ現像液で現像して第1のレジストパターンを得る工程、
(6)第1のレジストパターンをハードベークする工程、
(7)第1のレジストパターンの上に、第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第2のレジスト膜を得る工程、
(8)第2のレジスト膜をプリベークする工程、
(9)第2のレジスト膜を露光処理する工程、
(10)第2のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、及び、
(11)第2のアルカリ現像液で現像して第2のレジストパターンを得る工程、
を含むレジスト処理方法。
IPC (4件)：
G03F 7/40
, G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
G03F7/40 511
, G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502C
, H01L21/30 570
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025BJ04
, 2H025CA48
, 2H025CC17
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA29
, 2H025FA33
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 5F046AA11
, 5F046AA13
, 5F046LA18
