特許
J-GLOBAL ID：200903024619303310
微細パターン形成方法及びデバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138352
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311508
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】ダブルプロセス方式のように複数回のリソグラフィ・プロセスを用いる場合に、露光量誤差に対する許容範囲を広くする。【解決手段】それぞれフォトレジスト33,34に対する露光工程及び現像工程を含む2回のリソグラフィ工程を経てマスク層を形成し、マスク層を用いてターゲット層31をパターニングする微細パターン形成方法であって、その2回のリソグラフィ工程のそれぞれの現像工程に続いて、対応するフォトレジストに形成されたレジスト部33A,34Aの幅を細くするレジスト・スリミング・プロセスを有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
それぞれ感光層に対する露光工程及び現像工程を含む複数回のリソグラフィ工程を経てマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて被加工層をパターニングする微細パターン形成方法であって、
前記複数回のリソグラフィ工程のうち一のリソグラフィ工程の現像工程に続いて、対応する感光層に形成されたパターンの幅を増減するパターン幅制御工程を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
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